高深宽比TSV铜电镀填充结构
最大深宽比10，最小直径10μm，最大深度400μm

（a）通孔

（b）通孔

环形TSV结构
环形TSV存在中空结构，有利于应力释放，降低封装;
相比全铜填充TSV，环形TSV射频性能更加优异，高频损耗更小

空气绝缘低阻硅TSV结构
通过自由端释放温度变化产生的应力，实现低应力封装单个TSV电阻率<1.52Ω

具有凹坑腔体的玻璃绝缘低阻硅TSI结构
存在与TSI连通的腔体结构，对于小芯片更易定位，垂直互连长度更短，避免大深宽比TSI的制造;
同时降低了封装体积。

大尺寸高深宽比玻璃绝缘低阳TSI结构
通过玻璃浆料作为绝缘物填充，具有良好的绝缘性能和生物兼容性。

V形TGV结构
玻璃介电性能优异，信号传输完整性较好
CTE与硅接近，且易于加工