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光刻

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光刻工艺是MEMS技术里用得最频繁，最关键的技术之一，光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
0512-87816000
产品详情
EBL电子束光刻:最小线宽50nm，精度可达10%。
stepper步进式光刻:stepperi7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差士o1um，最大曝光面积6英寸。
Mask aligner:MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差士0.5umo
可进行双面光刻，对准套刻
兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片

材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底


稿定设计导出-20210928-102154.jpg
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光刻工艺是MEMS技术里用得最频繁，最关键的技术之一，光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
0512-87816000
SU8工艺
掩膜版
产品详情
EBL电子束光刻:最小线宽50nm，精度可达10%。
stepper步进式光刻:stepperi7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差士o1um，最大曝光面积6英寸。
Mask aligner:MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差士0.5umo
可进行双面光刻，对准套刻
兼容6英寸、4英寸、2英寸、不规则小片

材料可为硅片、石英片、玻璃片等基底


稿定设计导出-20210928-102154.jpg

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